SSD Micron® 7600 NVMe™ Skip to content

SSD Micron® 7500 NVMe™ grand public

SSD MICRON® 7600 NVMe™

Le moteur de l’excellence


Débit élevé, faible latence et efficacité énergétique pour les charges de travail grand public

SSD Micron® 7600 NVMe

L’un des SSD grand public les plus avancés et les plus performants du marché

12 Gbit/s

Mo/s

Performances séquentielles1

2 100 000 d’IOPS

IOPS1

Performance en aléatoire1

15,36 To

Qualité de service (QoS)

Capacité maximale2

G9

NAND à couches

NAND3

Dynamisez vos charges de travail d’IA, de cloud et de périphérie

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Vous recherchez un stockage qui vous offre plus de puissance là où vous en avez besoin ? Le SSD Micron 7600 NVMe n’a rien à craindre face aux SSD grand public Gen5 concurrents grâce à :

  • des performances 23 % supérieures1 ;
  • une latence 76 % supérieure1 ;
  • une efficacité énergétique 79 % supérieure1.

Découvrez plus de détails sur le 7600

Apprenez-en plus sur la technologie innovante qui se cache derrière le SSD Micron 7600 NVMe

Charges de travail accélérées

Créez un écosystème efficace dans lequel les données et les informations clés circulent de manière plus fluide. 

Produit
OLTP à volume élevé

Traitez les transactions plus rapidement à grande échelle

Produit
Stockage cloud

Des solutions évolutives pour différentes charges de travail

Produit
Big Data

Stockage rapide pour les jeux de données très volumineux
 

Produit
Stockage d’objets

Débit et réactivité élevés pour données non structurées

Capacités de pointe

Profitez de la combinaison idéale entre fonctionnalités et technologies :

Protection contre les coupures d’alimentation
 

Interface de gestion NVMe (NVMe-MI™) par SMBus

Téléchargement sécurisé du firmware
 

Environnement chiffré sécurisé (SEE, Secure Encrypted Environment) de Micron

Protection de chemin de données d’entreprise
 

États d’alimentation NVMe®
 

Racine de confiance matérielle, firmware signé et sécurisé

Technologie SMART (Self-Monitoring and Reporting Technology)

NVMe® 2.0b, TCG Opal v2.02, OCP 2.6

Activation du firmware sans réinitialisation

Disque à chiffrement automatique (SED) avec chiffrement AES-256

Garantie limitée de 5 ans4

Pourquoi choisir le SSD 7600 NVMe ?

Améliorez les performances

Obtenez de meilleurs résultats tout en bénéficiant des dernières avancées en matière de sécurité.

Réduisez la latence

Garantissez une réactivité optimale pour les analyses en temps réel, l’entraînement et l’inférence des IA, ainsi que l’OLTP.

Accélérez les charges de travail

Dopez les processus derrière l’IA, les bases de données et le cloud computing.

Caractéristiques

Des performances supérieures sur une large gamme de charges de travail et une prise en charge étendue de l’Open Compute Project (OCP).

Capacité 1,92 To 3,84 To 7,68 To 15,36 To
Lectures séq. (Mo/s) 12 000 12 000 12 000 12 000
Écritures séq. (Mo/s) 3 300 6 500 7 000 7 000
Lecture aléatoire (KIOPS) 1 800 2 100 2 100 2 100
Écriture aléatoire (KIOPS) 180 300 400 400
Lecture/écriture aléatoire 70/30 (IOPS) 320 480 700 700
Latence (typique, µs)8

75 (lecture),

15 (écriture)

75 (lecture),

15 (écriture)

75 (lecture),

15 (écriture)

75 (lecture),

15 (écriture)

Endurance (4 Ko aléatoires) 3 500 7 000 14 000 28 000
Interface PCIe Gen5 1x4, NVMe v2.0b
NAND NAND G9 TLC Micron
MTTF MTTF : 2 millions d’heures entre 0 et 55 °C et 2,5 millions d’heures entre 0 et 50 °C
Taux d’erreurs binaires non récupérables <1 secteur par 1018 bits lus
Garantie 5 ans
Consommation

Lecture séquentielle (valeur RMS moyenne) : 15,5 W (PRO et MAX)

Écriture séquentielle (valeur RMS moyenne) : 18,3 W (PRO et MAX)

Temp. de fonctionnement

0 à 70 °C (REMARQUE : si la température SMART dépasse 77 °C, les performances seront limitées)

Capacité 1,6 To 3,2 To 6,4 To 12,8 To
Lectures séq. (Mo/s) 12 000 12 000 12 000 12 000
Écritures séq. (Mo/s) 3 300 6 500 7 000 7 000
Lecture aléatoire (KIOPS) 1 800 2 100 2 100 2 100
Écriture aléatoire (KIOPS) 260 560 675 675
Lecture/écriture aléatoire 70/30 (IOPS) 450 700 1 000 1 100
Latence (typique, µs)8

75 (lecture),

15 (écriture)

75 (lecture),

15 (écriture)

75 (lecture),

15 (écriture)

75 (lecture),

15 (écriture)

Endurance (4 Ko aléatoires) 8 700 17 500 35 000 70 000
Interface PCIe Gen5 1x4, NVMe v2.0b
NAND NAND G9 TLC Micron
MTTF MTTF : 2 millions d’heures entre 0 et 55 °C et 2,5 millions d’heures entre 0 et 50 °C
Taux d’erreurs binaires non récupérables <1 secteur par 1018 bits lus
Garantie 5 ans
Consommation

Lecture séquentielle (valeur RMS moyenne) : 15,5 W (PRO et MAX)

Écriture séquentielle (valeur RMS moyenne) : 18,3 W (PRO et MAX)

Temp. de fonctionnement

0 à 70 °C (REMARQUE : si la température SMART dépasse 77 °C, les performances seront limitées)

Construisons ensemble
 

Trouvez la mémoire et le stockage adaptés

Impact sur le secteur

IA
Comment étancher la soif de l’IA


Les entreprises puisent dans d’immenses lacs de données pour faire émerger des informations clés qui ouvrent de nouveaux horizons.
 

Edge
Des données à la périphérie


Exploitez les avantages du traitement des données le plus près possible de leur source.
 

Produit
Trouvez votre équilibre (serveur)


Trouver l’harmonie entre calcul, mémoire et stockage vous permet de créer un serveur puissant qui sera plus performant que la somme de ses composants.

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Des questions ? L’équipe de spécialistes de Micron peut vous aider.

Produit

Détails produit du 7600
 


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Ressources

BROCHURE

Empêchez les processeurs et processeurs graphiques onéreux de tomber en panne

Les solutions de stockage intelligentes offrent un flux d’informations plus fluide pour l’IA

BROCHURE

Gamme de SSD Micron
 

Associez le SSD parfait à votre charge de travail unique
 

BROCHURE

5 raisons de choisir les solutions de serveur Micron

Maintenez vos processeurs et vos processeurs graphiques à une échelle et un niveau optimaux pour l’avenir

Remarque : toutes les valeurs fournies sont à titre indicatif et ne sont pas des valeurs garanties. Pour obtenir des informations sur la garantie, rendez-vous sur https://www.micron.com/sales-support/sales/returns-and-warranties ou contactez votre représentant commercial Micron.

1. Performances mesurées dans les conditions suivantes : Régime permanent tel que défini par les caractéristiques du test de performance de stockage SSD SNIA Enterprise v1.1 ; cache d’écriture activé ; gestion de l’alimentation NVMe 0 ; charges de travail séquentielles mesurées à l’aide d’un FIO avec une profondeur de file d’attente de 32 ; charges de travail en lecture aléatoire mesurées à l’aide d’un FIO avec une profondeur de file d’attente de 512 (charges de travail en écriture aléatoire mesurée à l’aide d’un FIO avec une profondeur de file d’attente de 128).

2. Capacité utilisateur : 1 Go = 1 milliard d’octets ; formaté, la capacité est moindre.

3. Consultez la page https://www.micron.com/products/storage/nand-flash/g9-nand

4. Garantie valide pour une durée de 5 ans à compter de la date d’achat ou avant d’avoir dépassé le nombre total maximum d’octets écrits (TBW) conformément aux informations présentées dans la fiche technique et comme mesuré dans les données SMART du produit, selon la première éventualité.

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