Une nouvelle référence pour les SSD NVMe grand public
Disponible en format U.3, M.2 et E1.S pour prendre en charge la plupart des fonctionnalités principales de la plateforme.
7 000
Mo/s
Performance en séquentiel
1,1 M
IOPS2
Performance en aléatoire
99,9999 %
Qualité de service (QoS)
Avec une latence inférieure à 1 ms1
NAND
232 couches
Technologie NAND la plus avancée au monde2
Des solutions sur mesure. Des résultats prouvés.
Résultats des tests
Performances de base de données NoSQL
Découvrez comment le SSD Micron 7500 NVMe surpasse les autres SSD grand public pour data centers.
Dossier techniques
Fonctions de sécurité des SSD
Gardez l’esprit tranquille avec la protection des données au repos.
Ebook
Quatre raisons d’utiliser le NVMe
Vous cherchez une raison de mettre en œuvre le NVMe ? En voici quatre.
Charges de travail accélérées
Créez un écosystème efficace dans lequel les données et les informations clés circulent de manière plus fluide.
OLTP à volume élevé
Un traitement efficace des transactions à grande échelle
Stockage cloud
Solutions évolutives pour différentes charges de travail
Big Data
Stockage rapide pour les jeux de données très volumineux
Stockage d’objets
Débit et réactivité élevés pour les données non structurées
Fonctionnalités de pointe
Le SSD Micron® 7500 NVMe™ offre l’équilibre de fonctionnalités parfait :
Protection contre les coupures d’alimentation
Démarrage et effacement sécurisés
Garantie limitée de 5 ans3
Protection de chemin de données d’entreprise
Racine de confiance matérielle, firmware signé et sécurisé
Activation du firmware sans réinitialisation
Prise en charge de TRIM avec collecte des déchets
Pourquoi choisir le SSD 7500 NVMe ?
Améliorez les performances
Obtenez de meilleurs résultats tout en bénéficiant des dernières avancées en matière de sécurité4.
Réduisez la latence
Garantissez une réactivité optimale pour les analyses en temps réel, la distribution de contenu et l’OLTP.
Accélérez les charges de travail
Dopez les processus derrière l’IA, les bases de données et le cloud computing.
Caractéristiques
Des performances supérieures sur une large gamme de charges de travail et une prise en charge étendue de l’Open Compute Project (OCP).
| Capacité | 960 Go | 1,92 To | 3,84 To | 7,68 To | 15,36 To |
|---|---|---|---|---|---|
| Lectures séq. (Mo/s) | 6 800 | 6 800 | 6 800 | 7 000 | 7 000 |
| Écritures séq. (Mo/s) | 1 400 | 2 700 | 5 300 | 5 900 | 5 900 |
| Lecture aléatoire (KIOPS) | 800 | 1 000 | 1 100 | 1 100 | 1 100 |
| Écriture aléatoire (KIOPS) | 85 | 145 | 180 | 215 | 250 |
| Lecture/écriture aléatoire 70/30 (IOPS) | 130 | 260 | 350 | 450 | 530 |
| Latence (typique, µs)8 | 70 (lecture) 15 (écriture) |
70 (lecture) 15 (écriture) |
70 (lecture) 15 (écriture) |
70 (lecture) 15 (écriture) |
70 (lecture) 15 (écriture) |
| 4K aléatoires | 1 752 | 3 504 | 7 008 | 14 016 | 28 032 |
| Interface | PCIe Gen4 1x4, NVMe (v2.4b) | ||||
| NAND | Technologie Micron NAND 3D TCL plus de 200 couches | ||||
| MTTF | MTTF : 2 millions d’heures entre 0 et 55 °C et 2,5 millions d’heures entre 0 et 50 °C | ||||
| Taux d’erreurs binaires non récupérables | <1 secteur par 1018 bits lus | ||||
| Garantie | 5 ans | ||||
| Consommation | Lecture séquentielle (valeur RMS moyenne) : 15,5 W (PRO et MAX) Écriture séquentielle (valeur RMS moyenne) : 18,3 W (PRO et MAX) |
||||
| Temp. de fonctionnement | 0 à 70 °C (REMARQUE : si la température SMART dépasse 77 °C, les performances seront limitées) |
||||
| Capacité | 800 Go |
1,6 To |
3,2 To |
6,4 To |
12,8 To |
|---|---|---|---|---|---|
| Lectures séq. (Mo/s) | 6 800 | 6 800 | 6 800 | 7 000 | 7 000 |
| Écritures séq. (Mo/s) | 1 400 | 2 700 | 5 300 | 5 900 | 5 900 |
| Lecture aléatoire (KIOPS) | 800 | 1 000 | 1 100 | 1 100 | 1 100 |
| Écriture aléatoire (KIOPS) | 145 |
270 | 390 | 400 | 410 |
| Lecture/écriture aléatoire 70/30 (IOPS) | 200 | 370 | 510 | 650 | 700 |
| Latence (typique, µs)8 | 70 (lecture) 15 (écriture) |
70 (lecture) 15 (écriture) |
70 (lecture) 15 (écriture) |
70 (lecture) 15 (écriture) |
70 (lecture) 15 (écriture) |
| 4K aléatoires | 4 380 |
8 760 |
17 520 | 35 040 |
70 080 |
| Interface | PCIe Gen4 1x4, NVMe (v2.4b) | ||||
| NAND | Technologie Micron NAND 3D TCL plus de 200 couches | ||||
| MTTF | MTTF : 2 millions d’heures entre 0 et 55 °C et 2,5 millions d’heures entre 0 et 50 °C | ||||
| Taux d’erreurs binaires non récupérables | <1 secteur par 1018 bits lus | ||||
| Garantie | 5 ans | ||||
| Consommation | Lecture séquentielle (valeur RMS moyenne) : 15,5 W (PRO et MAX) Écriture séquentielle (valeur RMS moyenne) : 18,3 W (PRO et MAX) |
||||
| Temp. de fonctionnement | 0 à 70 °C (REMARQUE : si la température SMART dépasse 77 °C, les performances seront limitées) |
||||
Construisons ensemble
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Impact sur le secteur
Comment étancher la soif de l’IA
Les entreprises puisent dans d’immenses lacs de données pour faire émerger des informations clés qui ouvrent de nouveaux horizons.
Des données à la périphérie
Exploitez les avantages du traitement des données le plus près possible de leur source.
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Remarque : toutes les valeurs fournies sont à titre indicatif et ne sont pas des valeurs garanties. Pour obtenir des informations sur la garantie, rendez-vous sur https://www.micron.com/sales-support/sales/returns-and-warranties ou contactez votre représentant commercial Micron. Les valeurs représentent l’endurance maximale théorique pour la taille et le type de transfert donnés. L’endurance varie en fonction de la charge de travail. Performances mesurées à 25 watts.