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SSD Micron® 7500 NVMe™ grand public

Rapide. Fiable. Équilibré.


Découvrez l’équilibre parfait entre efficacité et réactivité pour les data centers.

Une nouvelle référence pour les SSD NVMe grand public

Disponible en format U.3, M.2 et E1.S pour prendre en charge la plupart des fonctionnalités principales de la plateforme.

7 000

Mo/s

Performance en séquentiel
 

1,1 M

IOPS1

Performance en aléatoire
 

99,9999 %

Qualité de service (QoS)

Avec une latence inférieure à 1 ms2
 

232

232 couches

Technologie NAND la plus avancée au monde3

Découvrez plus de détails sur le SSD 7500

Examinez de plus près la technologie qui se cache derrière le SSD grand public pour data centers le plus avancé au monde4.

Charges de travail accélérées

Créez un écosystème efficace dans lequel les données et les informations clés circulent de manière plus fluide. 

Produit
OLTP à volume élevé

Un traitement efficace des transactions à grande échelle

Produit
Stockage cloud

Solutions évolutives pour différentes charges de travail

Produit
Big Data

Stockage rapide pour les jeux de données très volumineux
 

Produit
Stockage d’objets

Débit et réactivité élevés pour les données non structurées

Fonctionnalités de pointe

Le SSD Micron® 7500 NVMe™ offre l’équilibre de fonctionnalités parfait :

Protection contre les coupures d’alimentation

Démarrage et effacement sécurisés

Garantie limitée de 5 ans5

Protection de chemin de données d’entreprise

Racine de confiance matérielle, firmware signé et sécurisé 

Activation du firmware sans réinitialisation

Prise en charge de TRIM avec collecte des déchets

Pourquoi choisir le SSD 7500 NVMe ?

Améliorez les performances

Obtenez de meilleurs résultats tout en bénéficiant des dernières avancées en matière de sécurité6.

Réduisez la latence

Garantissez une réactivité optimale pour les analyses en temps réel, la distribution de contenu et l’OLTP.

Accélérez les charges de travail

Dopez les processus derrière l’IA, les bases de données et le cloud computing.

Caractéristiques

Des performances supérieures sur une large gamme de charges de travail et une prise en charge étendue de l’Open Compute Project (OCP).

Capacité 960 Go 1,92 To 3,84 To 7,68 To 15,36 To
Lectures séq. (Mo/s) 6 800 6 800 6 800 7 000 7 000
Écritures séq. (Mo/s) 1 400 2 700 5 300 5 900 5 900
Lecture aléatoire (KIOPS) 800 1 000 1 100 1 100 1 100
Écriture aléatoire (KIOPS) 85 145 180 215 250
Lecture/écriture aléatoire 70/30 (IOPS) 130 260 350 450 530
Latence (typique, µs)2

70 (lecture)

15 (écriture)

70 (lecture)

15 (écriture)

70 (lecture)

15 (écriture)

70 (lecture)

15 (écriture)

70 (lecture)

15 (écriture)

4K aléatoires 1 752 3 504 7 008 14 016 28 032
Interface PCIe Gen4 1x4, NVMe (v2.4b)
NAND Technologie Micron NAND 3D TCL plus de 200 couches
MTTF MTTF : 2 millions d’heures entre 0 et 55 °C et 2,5 millions d’heures entre 0 et 50 °C
Taux d’erreurs binaires non récupérables <1 secteur par 1018 bits lus
Garantie 5 ans
Consommation

Lecture séquentielle (valeur RMS moyenne) : 15,5 W (PRO et MAX)

Écriture séquentielle (valeur RMS moyenne) : 18,3 W (PRO et MAX)

Temp. de fonctionnement

0 à 70 °C (REMARQUE : si la température SMART dépasse 77 °C, les performances seront limitées)

Capacité 800 Go
1,6 To
3,2 To
6,4 To
12,8 To
Lectures séq. (Mo/s) 6 800 6 800 6 800 7 000 7 000
Écritures séq. (Mo/s) 1 400 2 700 5 300 5 900 5 900
Lecture aléatoire (KIOPS) 800 1 000 1 100 1 100 1 100
Écriture aléatoire (KIOPS) 145
270 390 400 410
Lecture/écriture aléatoire 70/30 (IOPS) 200 370 510 650 700
Latence (typique, µs)2

70 (lecture)

15 (écriture)

70 (lecture)

15 (écriture)

70 (lecture)

15 (écriture)

70 (lecture)

15 (écriture)

70 (lecture)

15 (écriture)

4K aléatoires 4 380
8 760
17 520 35 040
70 080
Interface PCIe Gen4 1x4, NVMe (v2.4b)
NAND Technologie Micron NAND 3D TCL plus de 200 couches
MTTF MTTF : 2 millions d’heures entre 0 et 55 °C et 2,5 millions d’heures entre 0 et 50 °C
Taux d’erreurs binaires non récupérables <1 secteur par 1018 bits lus
Garantie 5 ans
Consommation

Lecture séquentielle (valeur RMS moyenne) : 15,5 W (PRO et MAX)

Écriture séquentielle (valeur RMS moyenne) : 18,3 W (PRO et MAX)

Temp. de fonctionnement

0 à 70 °C (REMARQUE : si la température SMART dépasse 77 °C, les performances seront limitées)

Construisons ensemble
 

Trouvez la mémoire et le stockage adaptés

Impact sur le secteur

IA
Comment étancher la soif de l’IA


Les entreprises puisent dans d’immenses lacs de données pour faire émerger des informations clés qui ouvrent de nouveaux horizons.
 

Edge
Des données à la périphérie


Exploitez les avantages du traitement des données le plus près possible de leur source.
 

Produit
Trouvez votre équilibre (serveur)


Trouver l’harmonie entre calcul, mémoire et stockage vous permet de créer un serveur puissant qui sera plus grand que la somme de ses composants.

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Des questions ? L’équipe de spécialistes de Micron peut vous aider.

Produit

Détails produit du 7500
 


Affichez les options de capacité, les caractéristiques techniques et plus encore.

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Explorez les fonctionnalités produit et obtenez des conseils de conception.

Ressources

BROCHURE

Gamme de SSD Micron
 

Associez le SSD parfait à votre charge de travail unique.
 

EBOOK

Solutions Micron pour data center
 

Découvrez des solutions de charge de travail sur mesure pour tous les types d’entreprises.

DOSSIER TECHNIQUE

Fonctions de sécurité des SSD
 

Découvrez comment la technologie Micron sécurise les données critiques.

Remarque : toutes les valeurs fournies sont à titre indicatif et ne sont pas des valeurs garanties. Pour obtenir des informations sur la garantie, rendez-vous sur https://www.micron.com/sales-support/sales/returns-and-warranties ou contactez votre représentant commercial Micron. Les valeurs représentent l’endurance maximale théorique pour la taille et le type de transfert donnés. L’endurance varie en fonction de la charge de travail. Performances mesurées à 25 watts.

1. Les déclarations concernant les performances IOPS aléatoires sont basées sur des charges de travail de 4 Ko, 100 % aléatoires.

2. Les tests internes de Micron indiquent une latence inférieure à 1 ms avec une QoS à 99,9999 % avec 100 % de lecture aléatoire 4 K d’une file d’attente pouvant atteindre 128, sur la base de tests internes de Micron.

3. Comparaisons réalisées avec les principaux autres SSD NVMe U.2/U.3 PCIe Gen4 pour data centers en fonction des parts de marché du secteur des data centers décrites à l’adresse https://forward-insights.com/reportslist.html et disponibles sur le marché au moment de la publication initiale du document. 1 Go = 1 milliard d’octets ; formaté, la capacité est moindre.

4. Pour les fournisseurs de SSD U.2/U.3 Gen4 grand public concurrents occupant une part de marché supérieure ou égale à 10 % du marché des SSD pour data centers en août 2023, comme indiqué dans le rapport d’analyse Forward Insights sur le statut des fournisseurs de SSD au 2e et 3e trimestre.

5. Garantie valide pour une durée de 5 ans à compter de la date d’achat ou avant d’avoir dépassé le nombre total maximum d’octets écrits (TBW) conformément aux informations présentées dans la fiche technique et comme mesuré dans les données SMART du produit, selon la première éventualité.

6. Aucun matériel, logiciel ni système ne peut garantir une sécurité absolue dans toutes les conditions. Micron décline toute responsabilité pour les données perdues, volées ou corrompues après utilisation de tout produit Micron, y compris les produits qui comportent l’une des fonctionnalités relatives à la sécurité mentionnée.

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